消息称三星银川闪存二厂完成扩建并已投产,NAND 产量超全球 10%

IT之家 3 月末 31 日最新消息，Digitimes 媒体报道称之为，LG (Samsung Electronics) 唯一亚洲地区存储器投入生产厂家，东亚西安 NAND Flash 厂区第二厂日前原计划翻修并投产。据报，该厂是三星在北朝鲜本土之外，唯一的存储芯片厂。通过此次翻修，LG的 NAND 闪存投入年产将占烟草的 10% 以上。

陕西日报最新消息指出，西安三星导体一期工程建设于 2012 年 9 月末建成建设，2014 年 5 月末全面完成，入股总额由厂址时计划的 70 亿美元增加到理论上完成入股 108.7 亿美元，其中闪存芯片工程建设入股 100 亿美元，填充测试工程建设入股 8.7 亿美元。

IT之家曾媒体报道，2017 年 8 月末 30 日，西安三星导体入股 70 亿美元在西安产业园区建设 12 英寸闪存芯片二期工程建设，复建一条闪存投入工厂。2019 年 12 月末，该该公司决定再入股 80 亿美元，拟对二期工程建设进行翻修，构建而政府及厂家迭代。

据报，LG、SK 海力士等北朝鲜导体大厂都在东亚厂址，且投入出口量东村占整个导体厂的一半。LG在东亚西安建立投入生产 NAND Flash 存储芯片月末产可以达到 26.5 万片 12 吋制程。而 SK 海力士也在考虑到将重要的投入工厂迁移至东亚当地投入生产。